一种高纯度铜，纯度为6N以上，其特征在于，P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下，该铜或铜合金中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下。本发明的课题也在于，使用使有害的P、S、C、O基夹杂物减少的高纯度铜及高纯度铜合金作为原料，并且控制非金属夹杂物的存在形态，由此可以减少焊线断裂的产生和提高机械强度的再现性、或者可以再现性良好地减少对高纯度铜靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率。
1.一种高纯度铜，纯度为6N以上，其特征在于，P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下，该铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下。
2.如权利要求1所述的高纯度铜，其特征在于，所述铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的包含碳或碳化物的夹杂物为5000个/g以下。
3.一种通过电解制造高纯度铜的方法，其特征在于，在阴极和阳极之间设置隔壁，将从阳极侧的电解槽中取出的电解液或追加电解液供给到阴极侧的电解槽中时，在即将要将电解液供给到阴极侧的电解槽中之前通过活性炭过滤器，然后将电解液供给到阴极侧的电解槽中进行电解，通过电解，使纯度为6N以上，P、S、O和C各成分的含量为1ppm以下，粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下。
4.如权利要求3所述的通过电解制造高纯度铜的方法，其特征在于，使铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的包含碳或碳化物的夹杂物为5000个/g以下。技术领域
本发明涉及高纯度铜以及通过电解制造高纯度铜的方法。通过本发明的方法制造的高纯度铜，通过添加必要的合金元素可以制造高纯度铜合金。本申请发明包含这些方面。另外，本说明书中使用的％和ppm分别表示质量％和质量ppm。另外，纯度表示除气体成分C、O、N和H以外的纯度。
背景技术
以往，为了制造高纯度铜，重点放在除去视为主要杂质的铜以外的金属元素及非金属元素、或者将气体成分限制为几ppm～几百ppm的一定量。因此，关于高纯度铜中存在的微量夹杂物，没有得到重视，没有对除去或者减少这些夹杂物进行研究。另外，即使在尽量限制气体成分的情况下，对于由其引起的夹杂物以何种形态存在也没有特别地关注。但是，认为在高纯度铜中存在铜以外的夹杂物时，即使其微小且微量地存在的情况下，例如在铜焊线的细线化工序中，也会以所述夹杂物为起点断裂或者拉伸特性等机械特性产生问题，对特性的再现性也产生不良影响。另外，在制造半导体器件用高纯度铜制溅射靶的情况下，在通过溅射形成薄膜的工序中，有时在靶的表面上产生突起物(结瘤)，并且由于异常放电导致突起物(结瘤)破裂等而产生颗粒。颗粒的产生是导致半导体器件的不合格率变差的原因。以往，在该颗粒的产生或焊线的断裂中，由其它原因产生的影响大，对于高纯度铜靶中存在的微小且微量的夹杂物成为原因的认识较弱。但是，以往认识到的颗粒产生原因或焊线断裂的原因已经查明，并且得到解决，因此，认识到即使存在其它产生颗粒的原因，但只要不解决它，则不能得到高品质的成膜或者断裂少的焊线。换言之，目前用于形成半导体用铜布线的溅射靶或焊线，可以说处于这样的高技术水平。而且，可以容易地理解本申请发明的高纯度铜，不仅用于上述溅射靶或焊线，也能够应用于使用高纯度铜的全部材料。半导体用的铜布线或焊线是公知的技术，其中，对于稍微难以理解的溅射法的原理进行简单说明。溅射法是利用通过被加速的电荷粒子撞击靶表面时动量的交换，构成靶的原子释放到空间中并堆积到相对的基板上而在基板上形成膜的方法。溅射靶通常是圆盘状或矩形的板，是用于通过溅射而在基板上形成各种半导体器件的电极、栅极、元件、绝缘膜、保护膜等的溅射源。一般而言，作为溅射靶，使用铝及铝合金靶、铜及铜合金靶、高熔点金属及合金靶、金属硅化物靶等。这样的靶中，目前重要的一种是代替以往的铝布线的铜布线形成用的铜及铜合金靶。另一方面，通过溅射形成膜时，有时在溅射的靶腐蚀部产生称为结瘤的几微米至几毫米大小的突起物。而且，溅射中由于电荷粒子的冲击这些突起物会爆裂，存在在基板上产生颗粒(簇状的粗大飞射物)的问题。该颗粒产生随着靶腐蚀面上的结瘤数增加而增加，在减少问题颗粒的方面，防止结瘤的生成是重大课题。最近，LSI半导体器件逐渐高集成化，并且微细化为布线宽度0.25μm以下，在这样的状况下，认为特别是上述由结瘤产生的颗粒成为严重的问题。即，颗粒直接附着到在基板上形成的薄膜上，或者先附着、堆积到溅射装置的外围壁或部件上然后再剥离、其再次附着到薄膜上，从而成为布线断裂或短路等问题的原因。随着这样的电子器件电路的高集成化或微细化进行，颗粒的产生成为大问题。如上所述，以往认识到的颗粒的产生原因或焊线的断裂原因已经查明，并且多数已经解决，但是，仍然不充分。如果不解决，则不能得到高品质的成膜或断裂少的焊线。以下，对现有技术进行介绍。但是，在以下的现有技术中，关于高纯度铜中存在的微小且微量的夹杂物的形态及其影响，没有关注，也没有具体的解决方案。在专利文献1中，记载了通过溶剂萃取来净化电解液。在专利文献2中，记载了用螯合树脂除去Sb、Bi。在专利文献3中，记载了在铜电解中添加隔膜和胶使电解面平滑而减少杂质混入。在专利文献4中，记载了在铜电解中使阳极液与活性炭接触而除去胶。在专利文献5中，记载了在铜电解中实施再电解。在专利文献6中，记载了在铜电解中通过周期性的反向电流电解使电极表面平滑而减少悬浮物或电解液混入。在专利文献7中，记载了在铜电解中为了改善表面性状而添加聚合物添加剂，以及使用含有尿素的电解液制造银、硫含量少的高纯度铜。在专利文献8中，记载了对溅射靶性能具有影响的靶的三个冶金学特性为材料的均匀性(无析出物、空隙、夹杂物及其它缺陷)、结晶粒度(更微细的结晶粒度一般比更粗的结晶粒度更优选)和集合组织(集合组织与特定的结晶学取向强度相关；“弱的”集合组织包含结晶学取向实质上随机的分布，“强的”集合组织包含结晶学取向的分布中优先的结晶学取向)，一般靶中夹杂物等缺陷必须少。在专利文献9中，记载了一种钛溅射靶，其特征在于，在钛靶中构成靶的钛的晶粒间界部存在的1μm以上的夹杂物在每1cm2靶平面中为100个以下。另外，记载了在钛的晶粒间界部存在的夹杂物为由钛或铁、镍、铬、铝、硅、钨、钼的金属成分的氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、氢化物中的一种以上的组合而成的复合化合物，以及通过热处理分解氧化物。在专利文献10和专利文献11中，记载了在铝、铝合金靶中，将夹杂物的单位面积的个数设定为40个/cm²以下，并且将夹杂物的最大长度全部设定为20μm以下，由此可以减少飞溅并且减少溅射靶中的夹杂物，这对于抑制颗粒或飞溅的产生是极其重要的，而且，利用陶瓷过滤器过滤金属熔液来减少夹杂物。在专利文献12中，记载了一种靶中的氧含量为100ppm以下、碳含量为150ppm以下、氮为50ppm以下并且硫含量为200ppm以下的高纯度铜或铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，高纯度铜或铜合金溅射靶中，靶中的氧含量为100ppm以下、碳含量为150ppm以下、氮为50ppm以下并且硫含量为200ppm以下；或者从靶的表面进行的超声波探伤检查中平底孔0.5mm直径以上的指标数为0.014个/cm²以下；并且使用通过电子束熔化或真空感应渣壳熔炼进行熔化铸造而得到的高纯度铜或铜合金锭。但是，在目前的高纯度铜靶中，未观察到用超声波探伤能够检测的程度的大小的夹杂物。在专利文献13中，记载了：在铜合金溅射靶中所含的气体成分的氧、氮和碳在晶粒间界形成夹杂物而成为产生颗粒的原因，特别是存在溅射寿命中突发产生颗粒的问题，因此希望尽量减少。而且，除气体成分以外的不可避免的杂质设定为10重量ppm以下。专利文献1：日本特开平11-106842号公报专利文献2：日本特开2000-107596号公报专利文献3：日本特开昭63-297583号公报专利文献4：日本特开昭64-55394号公报专利文献5：日本特开平1-152291号公报专利文献6：日本特开昭64-8289号公报专利文献7：日本特开2005-307343号公报专利文献8：日本特公表2004-513228号公报专利文献9：日本特开平5-214519号公报专利文献10：日本特开平9-25564号公报专利文献11：日本特开平11-315373号公报专利文献12：日本特开2000-239836号公报专利文献13：日本再公表WO2004/083482号公报
发明内容
鉴于这样的情况，本发明的课题在于，使用使有害的P、S、C、O基夹杂物减少的高纯度铜及高纯度铜合金作为原料，控制非金属夹杂物的存在形态，由此减少焊线断裂的产生和提高机械强度的再现性，或者再现性良好地减少对高纯度铜靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率。本发明人为了解决上述问题进行了广泛深入的研究，结果得到以下发现。即，通过尽量减少高纯度铜中存在的粒径为0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物的存在量，将其量设定为10000个/g以下，由此能够减少焊线断裂的产生或者减少对高纯度铜或铜合金靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率。基于这样的发现，本发明提供1)一种高纯度铜，纯度为6N以上，其特征在于，P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下，该铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下；2)上述1)所述的高纯度铜，其特征在于，上述铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的包含碳或碳化物的夹杂物为5000个/g以下。另外，本发明提供3)一种通过电解制造高纯度铜的方法，通过电解制造高纯度铜，其特征在于，在阴极和阳极之间设置隔壁，将从阳极侧的电解槽取出的电解液或追加电解液供给到阴极侧的电解槽中时，在要将电解液供给到阴极侧的电解槽中之前通过活性炭过滤器，然后将电解液供给到阴极侧的电解槽中进行电解；4)上述3)所述的通过电解制造高纯度铜的方法，其特征在于，通过电解，使纯度为6N以上，P、S、O和C各成分的含量为1ppm以下，粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下；5)上述3)所述的通过电解制造高纯度铜的方法，其特征在于，铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的包含碳或碳化物的夹杂物为5000个/g以下。通过以上发明，具有以下优良效果：使用使有害的P、S、C、O基夹杂物减少的高纯度铜作为原料，控制非金属夹杂物的存在形态，由此减少焊线断裂的产生和提高机械强度的再现性，或者对高纯度铜或高纯度铜靶进行溅射时，可以抑制颗粒的产生，并且可以减少半导体器件布线的不合格率。
具体实施方式
作为夹杂物产生原因的杂质，特别成为问题的是P、S、O和C。这些元素在铜中的溶解度极小，因此大部分在铜中成为夹杂物。特别是本申请发明的铜的高纯度化中，禁止以往为了平滑化等而进行的胶或聚合物等有机类添加物的添加。因为这些物质的添加成为使P、S、O、C的存在量增加的原因。另外，不使用作为非金属夹杂物、特别是引起S混入的硫酸系电解液，而是使用硝酸系或盐酸系电解液。但是，认识到这样做会混入大量作为杂质的P、S、O、C。因此，该杂质增加的原因必须在电解液自身以外找原因。于是，对这些物质的混入源进行了广泛深入的研究，结果确认，在电解铜时的电解液中存在由于从电解装置、特别是循环供给电解液的管道等中溶出有机物以及电解装置所处的环境或阳极上附着而含有的SiO₂、C、Al₂O₃。另外，电解液中所含的P、S、O以CuP、CuS、CuO的漂浮物质形式存在，这些漂浮物质有时在电解中在阴极带入铜中，它们成为污染的主要原因。特别是杂质为有机物的情况下，在将以高浓度含有几ppm以上的有机物的电解铜进一步高纯度化并通过高频熔化进行熔化时，溶化的铜中会直接混入由于有机物的分解而形成的碳(C)。鉴于以上问题，在电解液中不加入添加物是非常重要的，另外，用隔膜将阴极和阳极隔开、并且在要将电解液供给到阴极中之前通过活性炭过滤器而除去有机物和漂浮物质是必须的，这可以有效地减少夹杂物。作为上述杂质，有SiO₂、C、Al₂O₃、CuP、CuS、CuO等，CuP、CuS、CuO是在Cu中几乎不固溶的铜化合物，C固形物(石墨)、SiO₂、Al₂O₃以灰尘的形式存在，这些物质在铜的组织中以固形物形式存在。本申请发明中称为“非金属夹杂物”的物质，是指该铜组织中存在的固形物。而且，一旦含有这些物质，则在熔炼工序中不能充分地除去。其中，碳或以碳作为成分的碳化物特别有害。另外，在制造焊线或半导体制造工艺中混入时，非常难以除去。而且，这些杂质成为焊线或半导体装置中缺陷的原因，随着微细化成为大问题。由此，在通过电解制造高纯度铜时，在阴极和阳极之间设置隔壁，将从阳极侧的电解槽(阳极箱)中取出的电解液或追加电解液供给到阴极侧的电解槽(阴极箱)中时，在要将电解液供给到阴极侧的电解槽中之前通过活性炭过滤器，然后将电解液供给到阴极侧的电解槽中，进行电解，这是重要的工艺。此时，例如使用通常的聚丙烯过滤器时，不能除去夹杂物。即，说明根据过滤器的种类夹杂物的除去是困难的。另外，从阳极箱向阴极箱供给电解液时，通过管道或泵导入的情况下，同样不能观察到夹杂物的减少。这是因为使用管道或泵本身成为污染源。这些物体在任意的工艺中都可以见到，但是，在本发明中，为了防止由少量且微细的非金属夹杂物的混入而导致的特性变差，即使是在这样的电解工艺中，也需要小心注意。上述是制造高纯度铜时的电解制造工艺，由此能够首次得到本发明的高纯度铜。作为起始材料，可以使用市售的5N以下的高纯度铜材料。但是，该起始材料中含有Cu以外的金属成分、非金属成分、P、S、O、C以及它们的化合物(SiO₂、Al₂O₃、CuP、CuS、CuO等)分别为几ppm至几千ppm。本发明的高纯度铜，以这些起始材料作为原料，可以将其进一步形成为纯度6N以上的高纯度铜，并且P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下，该铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下。这样的非金属夹杂物或者碳或碳化物的碳基夹杂物，使用“液体用光散射式自动粒子计数器(液体用光散乱式自動粒子計数器)”(九州リオン株式会社制)测定。该测定法中，在液体中选择粒子的尺寸，测定该粒子浓度或粒子数目，因此，也称为“液体中颗粒计数”，基于JISxa0B9925(以下，将该测定称为“液体中颗粒计数”)。对该测定方法进行具体说明。取5g试样，缓慢地用200cc的酸溶解使得夹杂物不溶解，再用纯水稀释将其定容到500cc，取所得液体10cc，通过前述液体中颗粒计数进行测定。例如，夹杂物的数目为800个/cc时，10cc中测定的是0.1g的试样，因此，夹杂物为8000个/g。另外，关于该非金属夹杂物或者碳或碳化物的碳基夹杂物的个数，如前所述，通过液体中颗粒计数来测定，但是，如果可以进行同样的个数测定，则可以容易地理解使用其它手段也没有特别的问题。P、S、O、C成分在铜中均成为杂质，这些物质在铜中形成不固溶的磷化物、硫化物、碳化物、氧化物，有可能成为形成非金属夹杂物的原因。因此，通过将它们设定为1ppm以下，可以减少这些非金属夹杂物，可以提高高纯度铜的特性。另外，本申请发明中，将铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物设定为10000个/g以下，该非金属夹杂物的量成为问题，当其超过10000个/g时，例如，在细线化的焊线中成为异物，并且容易以该异物为起点引起断裂。另外，靶中存在该非金属夹杂物时，靶的腐蚀时成为突起状的异物，在该突起状异物处容易产生异常放电。这成为溅射时产生颗粒的原因。在焊线或溅射靶中，粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下的数值，绝对是不多的量。这是仅仅通过将构成非金属夹杂物的杂质元素的含量减少到1ppm以下而不能实现的数值。但是，对于减少高纯度铜焊线断裂的产生和提高机械强度的再现性、或者减少对高纯度铜靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率是重要的。必须认识到其作为最新的技术很重要。特别是由于包含碳或碳化物的夹杂物的存在是有害的，因此可以说粒径0.5μm以上且20μm以下的碳或碳化物优选设定为5000个/g以下。该碳或碳化物，如上所述，多数受到来自有机物的污染，因此在电解中必须避免使用有机物。高纯度铜合金的焊线或溅射靶，可以通过以上述高纯度铜为基本材料并附加地添加合金元素来制造。作为合金元素，没有特别限制，对于溅射靶来说，例如，可以在高纯度铜中含有使用一种或两种以上通常添加的Al、Ag、B、Cr、Ge、Mg、Mn、Nd、Si、Sn、Ti、Zr元素10％以下。作为本发明的高纯度铜或高纯度铜合金的制造中使用的原料，可以使用市售的铜原料以及上述的合金成分材料，在使用所得到的高纯度铜或高纯度铜合金作为溅射靶的原料的情况下，特别希望尽量减少对电子器件等产生不良影响的放射性元素、碱金属、过渡金属、重金属等杂质的含量。特别是半导体装置中，作为杂质的U或Th等放射性元素通过放射线对MOS产生影响，Na、K等碱金属、碱土金属引起MOS界面特性劣化，Fe、Ni、Co等过渡金属或重金属引起界面态的产生或结漏，它们都有可能通过铜膜对半导体装置造成污染。考虑以上内容，优选将碱金属、碱土金属的总量设定为5ppm以下，将放射性元素的总量设定为1ppb以下，将合金元素以外的作为杂质含有的重金属、轻金属的总量设定为10ppm以下。靶通常通过将原料熔化和铸造，将铸造后的材料实施锻造或轧制等塑性加工处理及热处理以得到适当的结晶组织、粒径等，之后精加工为圆板状等的最终靶来制造。通过将锻造或轧制等塑性加工与热处理适当组合，可以进行靶的结晶取向等品质的调节。铜及铜合金中的夹杂物主要为氧化物、氮化物、碳化物、硫化物，在原料的熔化、铸造过程中产生。因此，熔化及铸造在非氧化性气氛中，为了有效除去作为夹杂物源的氧、氮、硫而优选在真空中进行。作为熔化方法，为了避免以往的高频熔化时来自所使用的石墨坩锅的碳及氧污染，适合使用利用水冷铜坩锅的电子束熔化或真空感应渣壳熔炼以及水冷铜模具。使用使上述的杂质和夹杂物减少的铜或铜合金靶进行溅射时，薄膜中反映出靶的杂质和夹杂物减少，可以形成杂质和夹杂物同等水平的半导体器件布线及薄膜。实施例以下，基于实施例和比较例进行说明。另外，本实施例仅为一例，本发明不限于这些实施例。即，本发明也包括在本发明的技术思想中包含的其它方式和变形。(实施例1)使用4N的Cu作为原料阳极，在硝酸系电解液中进行电解。此时，用隔膜将阴极与阳极隔开，从阳极中取出含有溶出的Cu离子的电解液，在要投入到阴极箱之前通过约0.1μm孔隙的活性炭过滤器，由此进行电解。将所得电解铜进行真空感应渣壳熔炼，将所得高纯度铜用液体中颗粒计数进行测定，检测出粒径0.5μm以上且20μm以下的夹杂物为约4000个/g。另外，电沉积铜中所含的P、S、O、C均为1ppm以下。另外，包含碳或碳化物的夹杂物为约600个/g。这些均充分满足本申请发明的条件。该实施例1中，通过本发明的制造条件，制造纯度为6N以上、并且P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下、该铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下的高纯度铜，在不能实现该条件的情况下，根据需要，可以再次将电解液通过活性炭过滤器。最终目标是使用本发明的高纯度铜制造无颗粒产生的溅射靶，或者制造不断裂的焊线。(比较例1)在与实施例1同样的条件下，使用通常的聚丙烯过滤器(过滤精度为0.5μm)进行过滤。将所得电解铜进行真空感应渣壳熔炼，将所得高纯度铜同样用液体中颗粒计数进行测定，结果粒径0.5μm以上且20μm以下的夹杂物为约20000个/g。另外，电沉积铜中所含的P、S、O、C分别为2ppm、6ppm、10ppm、10pmm。另外，包含碳或碳化物的夹杂物为约8400个/g。这些均不满足本申请发明的条件。(比较例2)在与实施例1同样的条件下，不使用过滤器，从阳极中取出含有溶出的铜离子的电解液，投入到阴极箱中。将所得电解铜进行真空感应渣壳熔炼，将所得高纯度铜同样用液体中颗粒计数进行测定，结果粒径0.5μm以上且20μm以下的夹杂物为约52000个/g。另外，电沉积铜中所含的P、S、O、C分别为4ppm、8ppm、20ppm、20pmm。另外，包含碳或碳化物的夹杂物为约25000个/g。这些均不满足本申请发明的条件。(比较例3)在与实施例1同样的条件下，在紧挨着阳极箱的后面配置活性炭过滤器，使电解液通过后，再通过管道和泵返回到阴极箱中。将所得电解铜进行真空感应渣壳熔炼，将所得高纯度铜同样用液体中颗粒计数进行测定，结果粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为约12000个/g。另外，电沉积铜中所含的P、S、O、C分别为1ppm、4ppm、2ppm、3pmm。另外，包含碳或碳化物的夹杂物为约6500个/g。这些结果中夹杂物及P、S、O、C的杂质比比较例1和比较例2少，但比实施例1多。这说明，仅仅使用管道和泵，也不能实现作为目标的夹杂物或杂质的减少。(根据非金属夹杂物对靶的评价)然后，将这样制作的实施例1的高纯度铜熔化，制造靶。将该靶用液体中颗粒计数进行测定，结果粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为约6500个/g。在该靶的制造阶段，确认非金属夹杂物增加。但是，其量少。这可能是由于熔化的原料本身所含的非金属夹杂物少。因此，如后说明所述，对该靶进行溅射时，结果颗粒的产生少。将所述靶进行电解腐蚀，用FIB-AES对表面出现的突起状的夹杂物进行分析，结果全部非金属夹杂物的40％为由碳构成的夹杂物(碳或碳化物)，粒径0.5μm以上且20μm以下的碳基夹杂物为约3500个/g。通过使用该靶进行溅射，在300mm晶片上形成铜薄膜，粒径0.05μm以上的颗粒少，为17个/平方英寸，可以得到良好的溅射膜。(焊线中的应用)制造焊线时，将实施例1的高纯度铜熔化，再将其经过铸造、锻造、热处理、轧制(拉丝)工序。与制造上述靶的工序几乎没有变化。因此，为了防止在熔化工序混入杂质，采用水冷坩锅熔化法是有效的，得到锭。结果，同样地对焊线进行电解腐蚀，并用FIB-AES对表面出现的突起状的夹杂物进行分析，结果全部非金属夹杂物的40％为由碳构成的夹杂物(碳或碳化物)，粒径0.5μm以上且20μm以下的碳基夹杂物为约4200个/g。由此，少量非金属夹杂物的存在可以有效地抑制焊线的断裂。(比较例1～比较例3的评价)将上述高纯度铜进行加工和热处理来制造靶。该靶用液体中颗粒计数进行测定，结果粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为约30000个/g以上。在该靶的制造阶段，确认非金属夹杂物与原料成比例地增加。而且，其量极度增加。这可能是由于熔化的原料本身所含的非金属夹杂物多。因此，对该靶进行溅射时，颗粒的产生成比例地增加。(比较例1～比较例3在焊线中应用的评价)与上述同样地，由于与靶的制造工序类似，因此利用液体颗粒计数对该焊线进行测定，结果同样地，粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为约30000个/g以上。在该焊线的制造阶段，非金属夹杂物与原料成比例地增加。而且，其量极度增加。因此，焊线的断裂与非金属夹杂物的存在量成比例地增加。产业实用性具有以下优良效果：使有害的P、S、C、O基夹杂物减少的高纯度铜，通过控制非金属夹杂物的存在形态和量，可以减少焊线断裂的产生和提高机械强度的再现性，或者对高纯度铜或高纯度铜靶进行溅射时可以抑制颗粒的产生，能够减少半导体器件布线的不合格率。因此，在LSI半导体器件高集成化、布线宽度为0.25μm以下的微细化的情况下，对于适合形成能够防止短路或断线等问题的铜布线等的高纯度铜及高纯度铜合金靶和断裂少的焊线是有用的。